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第51章 第一轮测试通过,研发成功!

基地之中,研究人员依然在继续进行光刻机的测试。

“现在开始进行对准,监视器打开,红外光源打开,进行单面对准。”

“调节显微镜的位置、焦距、放大倍率、CCD的增益,掩膜板图形已经呈现在监视器,调节硅片位置与掩膜板完全对准。”

“调节成功!”

“现在开始调节真空度,目前真空度为-20PSI,打开开关使硅片与掩膜板紧密接触。”

“选择进行超高精度的曝光,关闭按钮SubstrateVacuum,将显微镜系统归位。”

见到操作都没有问题,楚辞和唐宏等人脸的表情越发严肃起来,因为接下来就是进行曝光处理了。

“开始曝光处理,汞灯电源打开,电压已经达到最大值。”

“触发汞灯检查风扇是否正确运转,触发成功,电压开始降低,目前电压为54伏。”

“旋钮调节汞灯到需要的功率以及光照度,汞灯为ARC350W,光照度调节为CH-A15mW\/cm,CH-B30mW\/cm。”

“打开左面板曝光控制电源按钮,开始设定所需的曝光时间。并且开始对汞灯进行预热八分钟。”

预热过程中,整个基地都显得安静无比,只有光刻机在运转的声音。

虽然基地很凉快,但楚辞发现,很多人此时已经额头冒汗,双拳紧握,就连他自己都有些紧张,更别说别人了。

“预热结束,打开有面板的开关,曝光系统已经自动移动到硅片方,曝光开始!”

八分钟后,随着研究人员的声音落下,光刻机开始运转起来,对着硅片进行曝光处理。

时间一点点过去,因为是测试,需要大量的样品,所以曝光的硅片数量也很多。

足足等候了一个小时左右,光刻机的测试也总算是结束。

“开始取片,关闭开关,使硅片与掩膜板脱离接触。”

“模板架升起,取出硅片。”

“下降模板架,取下掩膜板。”

“关闭汞灯电源,关闭真空系统、氮气以及压缩空气。”

“关闭光刻机电源。”

“光刻机第一轮测试结束,现在开始对硅片进行检测。”

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